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多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510136030.3
申请日：
2025-02-07
公开(公告)号：
CN119956334A
公开(公告)日：
2025-05-09
发明(设计)人：
柴利林
申请人：
苏州龙驰半导体科技有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市高新区金山路78号1-2幢Z101室B-216
IPC主分类号：
C23C16/458
IPC分类号：
H01L21/02 C23C16/32 C30B28/12 C30B28/14 C30B29/36
代理机构：
北京科慧致远知识产权代理有限公司 11739
代理人：
赵红凯
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/458申请日:20250207
2025-05-09 公开 公开
共 50 条
[1]
多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 [P]. 
柴利林 .
中国专利 :CN119956333A ,2025-05-09
[2]
多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底 [P]. 
郭超 ;
母文凤 .
中国专利 :CN117304814B ,2024-03-12
[3]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333B ,2025-10-10
[4]
碳化硅衬底和碳化硅外延衬底 [P]. 
本家翼 ;
冲田恭子 .
中国专利 :CN110651072A ,2020-01-03
[5]
碳化硅衬底及碳化硅衬底制备方法 [P]. 
欧阳鹏根 ;
刘小琴 ;
盛永江 ;
杨水淼 ;
陈彦宇 ;
杨华 .
中国专利 :CN120193333A ,2025-06-24
[6]
碳化硅衬底 [P]. 
冲田恭子 .
中国专利 :CN112531019A ,2021-03-19
[7]
碳化硅衬底 [P]. 
冲田恭子 .
日本专利 :CN112531019B ,2024-10-11
[8]
半绝缘碳化硅衬底制备方法及碳化硅衬底 [P]. 
宋立辉 ;
皮孝东 ;
杨德仁 ;
黄渊超 ;
刘帅 ;
熊慧凡 .
中国专利 :CN117637449A ,2024-03-01
[9]
碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法 [P]. 
冲田恭子 ;
本家翼 ;
上田俊策 .
中国专利 :CN114651091A ,2022-06-21
[10]
碳化硅衬底和碳化硅衬底的制造方法 [P]. 
冲田恭子 ;
本家翼 ;
上田俊策 .
日本专利 :CN114651091B ,2024-04-19
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