一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411352215.X

申请日：

2024-09-26

公开(公告)号：

CN119282115A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

巢云秀赵琪陈静洪施晨琦闻明唐可王传军刘子其李治东沈月许彦亭

申请人：

云南贵金属实验室有限公司

申请人地址：

650106 云南省昆明市五华区高新技术开发区科技路988号

IPC主分类号：

B22F3/15

IPC分类号：

B22F3/10 B22F9/04 B22F3/24 B22F3/03 C23C14/34 C23C14/35 C22C1/05

代理机构：

昆明隆合知识产权代理事务所(普通合伙) 53220

代理人：

张沛钦

法律状态：

公开

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B22F 3/15申请日:20240926

共 50 条

[1]

一种钽钌合金靶材及其制备方法 [P].

邵玲 ;

王广欣 ;

赵学义 .

中国专利 :CN104226999A ,2014-12-24

[2]

一种钽钌合金靶材及其制备方法 [P].

邵玲 ;

王广欣 ;

赵学义 .

中国专利 :CN104233205A ,2014-12-24

[3]

一种低氧含量合金靶材及其制备方法 [P].

周贤界 ;

侯宇航 ;

关泽汉 ;

卢晓鹏 ;

黄勇彪 .

中国专利 :CN118064847A ,2024-05-24

[4]

一种高纯钽钌合金靶材的真空热压烧结制备方法 [P].

逯峙 ;

游龙 ;

郭帅东 ;

王广欣 ;

邓舜兰 ;

杨斌 ;

张鹏飞 ;

闫焉服 ;

孙浩亮 ;

韩超 ;

刘海洋 .

中国专利 :CN108754436B ,2018-11-06

[5]

一种低氧含量合金靶材及其制备方法 [P].

周贤界 ;

侯宇航 ;

关泽汉 ;

卢晓鹏 ;

黄勇彪 .

中国专利 :CN118064847B ,2025-01-10

[6]

一种高纯低氧钨硅合金靶材的制备方法 [P].

李利利 ;

丁照崇 ;

曲鹏 ;

李勇军 ;

曹晓萌 ;

贾倩 ;

滕海涛 ;

张晓娜 ;

杜文路 .

中国专利 :CN113088899A ,2021-07-09

[7]

一种高纯度钽钌合金靶材及其制备方法 [P].

李风浪 ;

李舒歆 .

中国专利 :CN106756826A ,2017-05-31

[8]

一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法 [P].

贾倩 ;

王兴权 ;

范宁 ;

李利利 ;

丁照崇 ;

蔺心宇 ;

何金江 ;

罗俊锋 .

中国专利 :CN117758088A ,2024-03-26

[9]

一种高纯高均匀低氧钼硅合金靶材及其制备方法 [P].

贾倩 ;

王兴权 ;

范宁 ;

李利利 ;

丁照崇 ;

蔺心宇 ;

何金江 ;

罗俊锋 .

中国专利 :CN117758088B ,2025-11-07

[10]

一种高纯钌基合金靶材的制备方法 [P].

赵琪 ;

陈静洪 ;

施晨琦 ;

闻明 ;

巢云秀 ;

许彦亭 ;

李治东 ;

刘牛 .

中国专利 :CN118875285A ,2024-11-01

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