一种MOS管测试电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410236625.1

申请日：

2024-03-01

公开(公告)号：

CN118091354B

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

敖华阳顾露陈云乔成亮张航

申请人：

重庆平伟实业股份有限公司

申请人地址：

405200 重庆市梁平区梁平工业园区

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R19/00 G01R1/30

代理机构：

重庆渝之知识产权代理有限公司 50249

代理人：

郑小龙

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	授权	授权
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240301
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOS管测试电路 [P].

敖华阳 ;

顾露 ;

陈云乔 ;

成亮 ;

张航 .

中国专利 :CN118091354A ,2024-05-28

[2]

MOS管测试电路 [P].

何锋 ;

邓作恒 .

中国专利 :CN203720310U ,2014-07-16

[3]

一种MOS管阈值电压测试电路 [P].

蒋仁杰 .

中国专利 :CN102998513A ,2013-03-27

[4]

一种测试MOS管特性的测试电路及其方法 [P].

邱海亮 ;

蔡新春 .

中国专利 :CN103913688A ,2014-07-09

[5]

MOS管测试电路、系统及方法 [P].

王龙林 ;

郑卓斌 .

中国专利 :CN117607649A ,2024-02-27

[6]

MOS管测试电路、系统及方法 [P].

王龙林 ;

郑卓斌 .

中国专利 :CN117607649B ,2024-12-03

[7]

MOS管参数退化电路、测试电路及预警电路 [P].

雷登云 ;

恩云飞 ;

陈义强 ;

何春华 ;

黄云 .

中国专利 :CN106533406A ,2017-03-22

[8]

一种集成IC的MOS管RDSON值测试电路 [P].

王小梅 .

中国专利 :CN211928026U ,2020-11-13

[9]

MOS管驱动电路 [P].

蒋忠伟 ;

周雨成 .

中国专利 :CN114039589A ,2022-02-11

[10]

MOS晶体管测试电路及对应的测试方法 [P].

冯军宏 ;

甘正浩 .

中国专利 :CN103852701B ,2014-06-11

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