测量光刻工艺的参数的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980082667.1

申请日：

2019-11-19

公开(公告)号：

CN113168122B

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

H·A·J·克拉默 H·D·波斯 E·J·库普 A·E·A·库伦 H-K·尼恩海斯 A·波洛廉晋 A·J·登博夫

申请人：

ASML荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰维德霍温

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G01N21/47

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

赵林琳;郑振

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

测量光刻工艺的参数的方法 [P].

H·A·J·克拉默 ;

H·D·波斯 ;

E·J·库普 ;

A·E·A·库伦 ;

H-K·尼恩海斯 ;

A·波洛 ;

廉晋 ;

A·J·登博夫 .

中国专利 :CN113168122A ,2021-07-23

[2]

光刻工艺的对准方法 [P].

何伟明 .

中国专利 :CN112394623A ,2021-02-23

[3]

光刻工艺的显影方法 [P].

杨光宇 .

中国专利 :CN101393401A ,2009-03-25

[4]

光刻工艺的显影方法 [P].

李燕 ;

曹亮 ;

杨正兵 ;

唐代华 ;

李磊 ;

张华 .

中国专利 :CN103424997B ,2013-12-04

[5]

一种优化光刻工艺参数的方法 [P].

郭奥 ;

袁伟 ;

王鹏飞 ;

李琛 .

中国专利 :CN109491216B ,2019-03-19

[6]

进行光刻工艺的方法 [P].

黄启清 ;

颜子卿 ;

罗士杰 ;

吴文宗 .

中国专利 :CN101504510A ,2009-08-12

[7]

光刻工艺的显影方法 [P].

黄玮 .

中国专利 :CN102385262A ,2012-03-21

[8]

光刻工艺的曝光方法 [P].

曾建平 .

中国专利 :CN118483867A ,2024-08-13

[9]

光刻工艺的返工方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN102543683A ,2012-07-04

[10]

进行光刻工艺的方法 [P].

葛宗翰 ;

郑雅如 ;

张庆裕 ;

林进祥 .

中国专利 :CN109471329A ,2019-03-15

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