复合加热式碳化硅晶体生长炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202323606259.4

申请日：

2023-12-28

公开(公告)号：

CN222182544U

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

李晓丽

申请人：

美尔森先进石墨（昆山）有限公司

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市开发区太湖南路8号万福阁园区2#厂房

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311

代理人：

孙海燕

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长炉 [P].

胡家乐 .

中国专利 :CN221626443U ,2024-08-30

[2]

碳化硅晶体生长炉 [P].

高冰 .

中国专利 :CN115094513A ,2022-09-23

[3]

碳化硅晶体生长炉 [P].

黄鸣 ;

丁文革 ;

谭三成 ;

曹永新 .

中国专利 :CN102877133B ,2013-01-16

[4]

碳化硅晶体生长炉 [P].

刘鹏 ;

徐文立 ;

胡建宇 ;

余圣杰 .

中国专利 :CN307653137S ,2022-11-11

[5]

一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法 [P].

范涛礼 ;

陈建明 ;

蔡金荣 ;

张江涛 ;

赵文超 .

中国专利 :CN118272918B ,2024-10-11

[6]

一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法 [P].

范涛礼 ;

陈建明 ;

蔡金荣 ;

张江涛 ;

赵文超 .

中国专利 :CN118272918A ,2024-07-02

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

张炜国 .

中国专利 :CN220433073U ,2024-02-02

[8]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[9]

一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉 [P].

皮孝东 ;

沈典宇 ;

王蓉 ;

王芸霞 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN114371223B ,2022-04-19

[10]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

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