存储器器件、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411152298.8

申请日：

2024-08-21

公开(公告)号：

CN119156005A

公开(公告)日：

2024-12-17

发明(设计)人：

杨忆欣张盟昇

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10B20/25

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 20/25申请日:20240821
2024-12-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件、存储器器件及其制造方法 [P].

奥雷斯特·马迪亚 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN118488704A ,2024-08-13

[2]

半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933135A ,2010-12-29

[3]

半导体器件、存储器单元及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

邱奕勋 ;

王奕 .

中国专利 :CN113257818B ,2024-06-07

[4]

半导体器件、存储器单元及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

邱奕勋 ;

王奕 .

中国专利 :CN113257818A ,2021-08-13

[5]

半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P].

张仕然 ;

孙正庆 ;

于有权 .

中国专利 :CN114334828B ,2024-10-15

[6]

半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P].

张仕然 ;

孙正庆 ;

于有权 .

中国专利 :CN114334828A ,2022-04-12

[7]

存储器、半导体器件及其制造方法 [P].

韩清华 .

中国专利 :CN112670180A ,2021-04-16

[8]

存储器、半导体器件及其制造方法 [P].

韩清华 .

中国专利 :CN112670180B ,2024-08-23

[9]

存储器器件及制造半导体器件的方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

王奕 .

中国专利 :CN119323981A ,2025-01-17

[10]

存储器器件、半导体器件及其制造方法 [P].

林孟汉 ;

贾汉中 ;

刘逸青 ;

黄家恩 ;

王圣祯 ;

杨丰诚 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540152A ,2021-10-22

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