存储器、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910982431.5

申请日：

2019-10-16

公开(公告)号：

CN112670180A

公开(公告)日：

2021-04-16

发明(设计)人：

韩清华

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

龙威壮;孙宝海

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191016
2021-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

存储器、半导体器件及其制造方法 [P].

韩清华 .

中国专利 :CN112670180B ,2024-08-23

[2]

存储器及半导体器件 [P].

韩清华 .

中国专利 :CN210296297U ,2020-04-10

[3]

半导体器件、存储器器件及其制造方法 [P].

奥雷斯特·马迪亚 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN118488704A ,2024-08-13

[4]

存储器器件、半导体器件及其制造方法 [P].

杨忆欣 ;

张盟昇 .

中国专利 :CN119156005A ,2024-12-17

[5]

半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933135A ,2010-12-29

[6]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

角南英夫 ;

伊藤清男 ;

田寿一 ;

中里和郎 ;

水田博 .

中国专利 :CN1159765C ,1999-05-05

[7]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

小川久 ;

中冈弘明 ;

柁谷敦宏 ;

桥本伸 ;

江头恭子 .

中国专利 :CN1498424A ,2004-05-19

[8]

半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P].

张仕然 ;

孙正庆 ;

于有权 .

中国专利 :CN114334828B ,2024-10-15

[9]

半导体器件制造方法、半导体器件及存储器 [P].

张仕然 ;

孙正庆 ;

于有权 .

中国专利 :CN114334828A ,2022-04-12

[10]

半导体器件、存储器单元及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

邱奕勋 ;

王奕 .

中国专利 :CN113257818B ,2024-06-07

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