倒装发光二极管芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010357603.2

申请日：

2020-04-29

公开(公告)号：

CN111653654B

公开(公告)日：

2024-12-13

发明(设计)人：

赵进超沈丹萍李超马新刚李东昇

申请人：

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

申请人地址：

361012 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区(保税港区)海景南二路45号4楼03单元F0055

IPC主分类号：

H01L33/46

IPC分类号：

H01L33/20 H01L33/14 H01L33/36 H01L33/00

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

蔡纯;杨思雨

法律状态：

授权

国省代码：

福建省厦门市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-13	授权	授权

共 50 条

[1]

倒装发光二极管芯片及其制备方法 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN111653654A ,2020-09-11

[2]

倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

沈丹萍 ;

李超 ;

马新刚 ;

李东昇 .

中国专利 :CN212676295U ,2021-03-09

[3]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN209896094U ,2020-01-03

[4]

倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110085719A ,2019-08-02

[5]

倒装发光二极管芯片 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN210429862U ,2020-04-28

[6]

倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法 [P].

刘岩 ;

闫宝玉 ;

刘鑫 ;

鲁洋 ;

刘宇轩 ;

陈顺利 .

中国专利 :CN110098300A ,2019-08-06

[7]

发光二极管芯片制备方法 [P].

朱迪 ;

肖和平 .

中国专利 :CN112993112B ,2021-06-18

[8]

高压倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

李超 ;

马新刚 ;

吴珊 .

中国专利 :CN214411235U ,2021-10-15

[9]

高压倒装发光二极管芯片 [P].

赵进超 ;

李超 ;

马新刚 ;

吴珊 .

中国专利 :CN214411201U ,2021-10-15

[10]

发光二极管芯片 [P].

汪延明 ;

姚禹 ;

许亚兵 ;

牛凤娟 ;

侯召男 .

中国专利 :CN202423369U ,2012-09-05

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