基于混合非线性摆率增强的无片外电容LDO和芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411280121.6

申请日：

2024-09-12

公开(公告)号：

CN119232098A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

胡鹏渊冯华刘功哲陈洁马磊田震

申请人：

上海芯钛信息科技有限公司

申请人地址：

202150 上海市崇明区长兴镇潘园公路1800号3号楼14347室

IPC主分类号：

H03F3/04

IPC分类号：

H03F1/32 G05F1/56

代理机构：

长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225

代理人：

段盼姣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03F 3/04申请日:20240912
2024-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种集成摆率增强电路的低功耗无片外电容LDO [P].

程心 ;

梁绪亮 ;

解光军 ;

陈洋 ;

陈舒裴 ;

杜龙杰 .

中国专利 :CN104063003B ,2014-09-24

[2]

一种高瞬态响应的无片外电容LDO [P].

陈长江 ;

王彬 ;

徐凯 ;

张永生 ;

程晨 ;

程银 .

中国专利 :CN114281142A ,2022-04-05

[3]

一种无片外电容的LDO芯片 [P].

周源 ;

罗运 ;

刘利枚 ;

田乾磊 ;

唐石超 .

中国专利 :CN119292396A ,2025-01-10

[4]

一种无片外电容的LDO芯片 [P].

周源 ;

罗运 ;

刘利枚 ;

田乾磊 ;

唐石超 .

中国专利 :CN119292396B ,2025-11-14

[5]

一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路 [P].

唐莹 ;

吴晨杰 ;

陈文睿 .

中国专利 :CN116107372B ,2024-11-19

[6]

一种快速瞬态响应的无片外电容LDO电路 [P].

徐卫林 ;

黎升炬 ;

李海鸥 ;

李明 ;

蒋品群 ;

陈庆 ;

章金标 ;

麦峻玮 .

中国专利 :CN118981231A ,2024-11-19

[7]

一种无片外电容的LDO瞬态增强电路 [P].

林浩东 ;

柴常春 ;

樊庆庆 ;

徐乐 .

中国专利 :CN117498853A ,2024-02-02

[8]

一种快响应的无片外电容LDO电路 [P].

段吉海 ;

麦峻玮 ;

李冀 .

中国专利 :CN220323803U ,2024-01-09

[9]

用于无片外电容LDO的瞬态负载响应增强电路 [P].

李海辉 ;

李发宁 ;

马侠 .

中国专利 :CN118484053A ,2024-08-13

[10]

用于无片外电容LDO的瞬态负载响应增强电路 [P].

李海辉 ;

李发宁 ;

马侠 .

中国专利 :CN118466665A ,2024-08-09

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