蚀刻方法和等离子体处理装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380041714.4
申请日
2023-05-26
公开(公告)号
CN119234297A
公开(公告)日
2024-12-31
发明(设计)人
熊仓翔 木村壮一郎 世小弓 小田岛畅洋 真崎祐次 岳本昇 小林真 山崎翔太
申请人
东京毅力科创株式会社
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/3065
IPC分类号
H01L21/3213 H01L21/768 H01L21/3205 H01L23/532
代理机构
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322
代理人
龙淳;何中文
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
熊仓翔 ;
木村壮一郎 ;
世小弓 ;
小田岛畅洋 ;
真崎祐次 ;
岳本昇 ;
小林真 .
日本专利 :CN119256389A ,2025-01-03
[2]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
渡部诚一 ;
佐藤学 ;
泽田石真之 ;
山田纮己 ;
织茂慎司 .
中国专利 :CN114944333A ,2022-08-26
[3]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
岩野光纮 ;
细谷正德 .
中国专利 :CN111819666A ,2020-10-23
[4]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
佐藤琢磨 ;
吉村正太 ;
森北信也 .
日本专利 :CN117577524A ,2024-02-20
[5]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
有马仙善 ;
木原嘉英 ;
户村幕树 ;
高桥圭惠 .
日本专利 :CN120883336A ,2025-10-31
[6]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
齐藤翔 ;
昆泰光 ;
酒屋典之 .
日本专利 :CN120077468A ,2025-05-30
[7]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
山崎翔太 ;
泷野裕辅 ;
松原稜 ;
熊仓翔 .
日本专利 :CN120202532A ,2025-06-24
[8]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
横山乔大 ;
松桥泰平 ;
细谷正德 ;
松本大宇 .
中国专利 :CN114334595A ,2022-04-12
[9]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
高田郁弥 ;
吉村正太 ;
森北信也 .
中国专利 :CN115513049A ,2022-12-23
[10]
蚀刻方法和等离子体处理装置 [P]. 
高田郁弥 ;
森北信也 ;
及川弘太 ;
新仓菜月 .
日本专利 :CN119968696A ,2025-05-09