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存储器器件及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110538131.5
申请日
:
2021-05-18
公开(公告)号
:
CN113380826B
公开(公告)日
:
2024-12-24
发明(设计)人
:
王圣祯
杨丰诚
林孟汉
杨世海
林佑明
贾汉中
申请人
:
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H10B51/10
IPC分类号
:
H10B51/20
H10B51/30
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-24
授权
授权
共 50 条
[1]
存储器器件及其形成方法
[P].
王圣祯
论文数:
0
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王圣祯
;
杨丰诚
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杨丰诚
;
林孟汉
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林孟汉
;
杨世海
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杨世海
;
林佑明
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林佑明
;
贾汉中
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贾汉中
.
中国专利
:CN113380826A
,2021-09-10
[2]
存储器器件及其形成方法
[P].
吴昭谊
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吴昭谊
;
林佑明
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林佑明
.
中国专利
:CN113488504A
,2021-10-08
[3]
存储器器件及其形成方法
[P].
吴昭谊
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴昭谊
;
林佑明
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
.
中国专利
:CN113488504B
,2024-08-02
[4]
存储器器件及其形成方法
[P].
吕俊颉
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吕俊颉
;
杨世海
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杨世海
;
林佑明
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林佑明
.
中国专利
:CN113380824A
,2021-09-10
[5]
存储器器件及其形成方法
[P].
吕俊颉
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吕俊颉
;
杨世海
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
杨世海
;
林佑明
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林佑明
.
中国专利
:CN113380824B
,2025-07-29
[6]
集成芯片、存储器件及其形成方法
[P].
江法伸
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0
江法伸
;
蔡正原
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蔡正原
;
金海光
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金海光
;
林杏莲
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林杏莲
;
匡训冲
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匡训冲
;
李璧伸
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李璧伸
.
中国专利
:CN113113533A
,2021-07-13
[7]
集成芯片、存储器件及其形成方法
[P].
江法伸
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
江法伸
;
蔡正原
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
蔡正原
;
金海光
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
金海光
;
林杏莲
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
林杏莲
;
匡训冲
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
匡训冲
;
李璧伸
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
李璧伸
.
中国专利
:CN113113533B
,2024-09-24
[8]
存储器器件及其形成方法
[P].
张盟昇
论文数:
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张盟昇
;
黄家恩
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黄家恩
;
杨耀仁
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杨耀仁
;
王奕
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王奕
.
中国专利
:CN113421603A
,2021-09-21
[9]
存储器器件及其形成方法
[P].
张盟昇
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张盟昇
;
王奕
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
王奕
.
中国专利
:CN119107997A
,2024-12-10
[10]
存储器器件及其形成方法
[P].
吴绍鼎
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
吴绍鼎
;
张盟昇
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张盟昇
.
中国专利
:CN119156006A
,2024-12-17
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