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積層構造体およびスピントロニクスデバイス[ja]
被引:0
申请号
:
JP20230117440
申请日
:
2023-07-19
公开(公告)号
:
JP2025014679A
公开(公告)日
:
2025-01-30
发明(设计)人
:
TANIYAMA TOMOYASU
KOMORI SACHIO
IMURA KEIICHIRO
IZUMI TOMA
申请人
:
TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION & RESEARCH SYSTEM
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N50/10
IPC分类号
:
G11B5/00
G11B5/39
H01F10/30
H01F10/32
H10B61/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
スピン波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014188525A1
,2017-02-23
[2]
積層トランス及び積層トランス製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017138241A1
,2018-12-06
[3]
積層型バルントランス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006123485A1
,2008-12-25
[4]
積層型バルントランス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007138800A1
,2009-10-01
[5]
トランスおよびトランス装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009098824A1
,2011-05-26
[6]
スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020166722A1
,2021-12-02
[7]
エニオンを提供するための方法およびデバイス、デバイスの使用[ja]
[P].
日本专利
:JP2022536714A
,2022-08-18
[8]
スピン波導波構造体[ja]
[P].
WATANABE TOSHIAKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
WATANABE TOSHIAKI
;
GOTO TAICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
GOTO TAICHI
.
日本专利
:JP2025001239A
,2025-01-08
[9]
LCデバイス、LCデバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018110054A1
,2019-01-17
[10]
LC複合デバイス、プロセッサおよびLC複合デバイスの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017073438A1
,2018-06-07
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