スピントロニクス素子及び磁気メモリ装置[ja]

被引:0
申请号
JP20200572355
申请日
2020-02-14
公开(公告)号
JPWO2020166722A1
公开(公告)日
2021-12-02
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L29/82
IPC分类号
H01L43/08 H10B99/00
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
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磁気メモリ素子、磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010087389A1 ,2012-08-02
[2]
磁気素子及びスキルミオンメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015111681A1 ,2017-03-23
[3]
磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017086481A1 ,2018-09-20
[4]
磁気素子及びスキルミオンメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2015125708A1 ,2017-03-30
[5]
磁気メモリ素子および磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012160937A1 ,2014-07-31
[6]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2008108109A1 ,2010-06-10
[7]
磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009145161A1 ,2011-10-13
[8]
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[10]