半导体装置结构及半导体装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202420867108.X

申请日：

2024-04-24

公开(公告)号：

CN222424606U

公开(公告)日：

2025-01-28

发明(设计)人：

高韵峯姜慧如

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

顾伯兴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113555384A ,2021-10-26

[2]

半导体装置 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113809086A ,2021-12-17

[3]

半导体装置 [P].

洪照俊 ;

刘思麟 ;

彭永州 ;

李胜高 .

中国专利 :CN221147880U ,2024-06-14

[4]

半导体装置结构 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

张正伟 .

中国专利 :CN221427715U ,2024-07-26

[5]

半导体装置的制造方法及半导体装置 [P].

松室智纪 .

中国专利 :CN102105988A ,2011-06-22

[6]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

中国专利 :CN115362561A ,2022-11-18

[7]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

岛行德 ;

冈崎健一 .

日本专利 :CN117878159A ,2024-04-12

[8]

半导体元件、半导体装置及半导体系统 [P].

菅野亮平 ;

今藤修 ;

则松和良 ;

加藤勇次 .

中国专利 :CN113113481A ,2021-07-13

[9]

半导体结构及半导体芯片 [P].

冯家馨 .

中国专利 :CN101232018A ,2008-07-30

[10]

P型金属氧化物半导体装置及半导体装置 [P].

蔡庆威 ;

王志豪 ;

林威戎 ;

黄焕宗 ;

卡罗斯 .

中国专利 :CN101276835A ,2008-10-01

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