一种半导体功率芯片和射频芯片的外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411247763.6

申请日：

2024-09-06

公开(公告)号：

CN119421462A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

郑锦坚李水清张江勇邓和清寻飞林蔡鑫陈婉君胡志勇刘紫涵

申请人：

安徽格恩半导体有限公司

申请人地址：

237000 安徽省六安市金安区巢湖路288号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D62/17 H10D30/47

代理机构：

六安市新图匠心专利代理事务所(普通合伙) 34139

代理人：

武光勇

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	公开	公开
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240906

共 50 条

[1]

一种半导体功率器件和射频器件的外延结构 [P].

郑锦坚 ;

邓和清 ;

寻飞林 ;

陈婉君 ;

蔡鑫 ;

张江勇 ;

曹军 ;

张会康 ;

黄军 ;

李水清 .

中国专利 :CN119603989A ,2025-03-11

[2]

一种半导体功率射频器件 [P].

郑锦坚 ;

李水清 ;

张江勇 ;

张钰 ;

胡志勇 ;

蔡鑫 ;

陈婉君 ;

王星河 .

中国专利 :CN117690953A ,2024-03-12

[3]

半导体激光芯片外延结构 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN104393487A ,2015-03-04

[4]

一种半导体功率器件和射频器件的外延结构 [P].

郑锦坚 ;

张江勇 ;

李晓琴 ;

蓝家彬 ;

邓和清 ;

寻飞林 ;

李水清 ;

蔡鑫 ;

刘紫涵 ;

张会康 .

中国专利 :CN119300437A ,2025-01-10

[5]

一种氮化镓半导体芯片的外延结构 [P].

麻胜恒 ;

汪连山 ;

吴义针 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN119767735A ,2025-04-04

[6]

多芯片半导体功率器件 [P].

张翠薇 ;

J.赫格劳尔 ;

R.奥特伦巴 ;

X.施勒格尔 .

中国专利 :CN104064544A ,2014-09-24

[7]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

中国专利 :CN113745322A ,2021-12-03

[8]

功率半导体器件和功率半导体芯片 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN113745322B ,2025-02-07

[9]

半导体结构和半导体芯片 [P].

郑绩舜 ;

游永杰 ;

谢亦杰 .

中国专利 :CN119381346A ,2025-01-28

[10]

半导体结构和芯片 [P].

胡建波 ;

方绍明 ;

刘义 .

中国专利 :CN108511420A ,2018-09-07

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