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用于生产放射性同位素的靶辐照系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201980051636.X
申请日
:
2019-07-15
公开(公告)号
:
CN112534517B
公开(公告)日
:
2025-01-17
发明(设计)人
:
B.D.费希尔
T.G.昂德沃特
申请人
:
BWXT同位素技术集团有限公司
申请人地址
:
美国弗吉尼亚州
IPC主分类号
:
G21C19/00
IPC分类号
:
G21C19/32
代理机构
:
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
:
王增强
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-01-17
授权
授权
共 50 条
[1]
用于生产放射性同位素的靶辐照系统
[P].
B.D.费希尔
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B.D.费希尔
;
T.G.昂德沃特
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T.G.昂德沃特
.
中国专利
:CN112534517A
,2021-03-19
[2]
产生放射性同位素的靶辐照系统
[P].
T.G.昂德沃特
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
T.G.昂德沃特
;
M.A.阿尔博伊诺
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
M.A.阿尔博伊诺
;
B.D.费希尔
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
B.D.费希尔
;
A.朗
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
A.朗
.
美国专利
:CN112789689B
,2024-04-09
[3]
产生放射性同位素的靶辐照系统
[P].
T.G.昂德沃特
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T.G.昂德沃特
;
M.A.阿尔博伊诺
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M.A.阿尔博伊诺
;
B.D.费希尔
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B.D.费希尔
;
A.朗
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A.朗
.
中国专利
:CN112789689A
,2021-05-11
[4]
用于生产放射性同位素的辐照靶
[P].
B.D.菲舍尔
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B.D.菲舍尔
;
E.B.巴杰
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E.B.巴杰
;
W.E.拉塞尔二世
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W.E.拉塞尔二世
.
中国专利
:CN110462750A
,2019-11-15
[5]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统
[P].
T.G.昂德沃特
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
T.G.昂德沃特
;
M.A.阿尔博伊诺
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
M.A.阿尔博伊诺
;
B.D.费希尔
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
B.D.费希尔
;
A.朗
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机构:
BWXT同位素技术集团有限公司
BWXT同位素技术集团有限公司
A.朗
.
美国专利
:CN112789688B
,2024-08-20
[6]
产生放射性同位素的气动靶辐照系统
[P].
T.G.昂德沃特
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T.G.昂德沃特
;
M.A.阿尔博伊诺
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M.A.阿尔博伊诺
;
B.D.费希尔
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B.D.费希尔
;
A.朗
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A.朗
.
中国专利
:CN112789688A
,2021-05-11
[7]
放射性同位素的生产
[P].
P·W·H·德贾格
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P·W·H·德贾格
;
S·J·比杰尔斯马
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S·J·比杰尔斯马
;
O·W·V·弗吉恩斯
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O·W·V·弗吉恩斯
;
安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫
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安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫
;
N·坦凯特
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N·坦凯特
;
A·T·A·M·德克森
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A·T·A·M·德克森
;
J·J·L·H·维斯帕
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J·J·L·H·维斯帕
;
R·G·M·兰斯博根
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R·G·M·兰斯博根
;
A·A·A·卡斯特利根
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A·A·A·卡斯特利根
.
中国专利
:CN114360759A
,2022-04-15
[8]
放射性同位素的生产
[P].
S·德纽特
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机构:
潘特拉公司
潘特拉公司
S·德纽特
;
P·贾奎特
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潘特拉公司
潘特拉公司
P·贾奎特
;
F·斯蒂舍尔博
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潘特拉公司
潘特拉公司
F·斯蒂舍尔博
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D·梅尔腾斯
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潘特拉公司
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D·梅尔腾斯
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W·雷森
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潘特拉公司
潘特拉公司
W·雷森
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S·范登贝赫
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S·范登贝赫
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S·贝特朗
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机构:
潘特拉公司
潘特拉公司
S·贝特朗
.
:CN120322832A
,2025-07-15
[9]
放射性同位素的生产
[P].
P·W·H·德贾格
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P·W·H·德贾格
;
S·J·比杰尔斯马
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S·J·比杰尔斯马
;
O·W·V·弗吉恩斯
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O·W·V·弗吉恩斯
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安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫
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安德雷·亚历山德罗维奇·尼基佩洛夫
;
N·坦凯特
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N·坦凯特
;
A·T·A·M·德克森
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A·T·A·M·德克森
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J·J·L·H·维斯帕
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J·J·L·H·维斯帕
;
R·G·M·兰斯博根
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R·G·M·兰斯博根
;
A·A·A·卡斯特利根
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A·A·A·卡斯特利根
.
中国专利
:CN108701502A
,2018-10-23
[10]
生产放射性同位素的方法
[P].
罗志福
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罗志福
;
吴宇轩
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吴宇轩
.
中国专利
:CN113470843A
,2021-10-01
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