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一种高致密度碳化硅材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411606559.9
申请日
:
2024-11-12
公开(公告)号
:
CN119462158A
公开(公告)日
:
2025-02-18
发明(设计)人
:
张建
吕权
李冉冉
李辉
吴巧合
吴建充
周薇
申请人
:
兰德森材料科技(盐城)有限公司
申请人地址
:
224000 江苏省盐城市响水县工业经济区响盛产业园11号标准厂房(厚德路北侧)
IPC主分类号
:
C04B35/565
IPC分类号
:
C04B35/636
C04B35/632
C04B35/634
代理机构
:
昆明普发诺拉知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 53209
代理人
:
葛玉军;王思
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-07
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/565申请日:20241112
2025-02-18
公开
公开
共 50 条
[1]
一种高致密铝碳化硅材料及其制备方法
[P].
王鹏冲
论文数:
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王鹏冲
;
景文甲
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景文甲
;
平军
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平军
;
何娟
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何娟
.
中国专利
:CN111777416A
,2020-10-16
[2]
一种高致密度碳化硅涂层的制备方法
[P].
王志江
论文数:
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机构:
扎赉诺尔煤业有限责任公司
扎赉诺尔煤业有限责任公司
王志江
;
张宇珩
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机构:
扎赉诺尔煤业有限责任公司
扎赉诺尔煤业有限责任公司
张宇珩
;
井庆贺
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机构:
扎赉诺尔煤业有限责任公司
扎赉诺尔煤业有限责任公司
井庆贺
;
孙元帅
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机构:
扎赉诺尔煤业有限责任公司
扎赉诺尔煤业有限责任公司
孙元帅
;
张宝财
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机构:
扎赉诺尔煤业有限责任公司
扎赉诺尔煤业有限责任公司
张宝财
.
中国专利
:CN120249973A
,2025-07-04
[3]
一种高致密度铝碳化硅复合材料制备方法
[P].
刘波波
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刘波波
;
何娟
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何娟
;
景文甲
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景文甲
;
刘磊
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刘磊
.
中国专利
:CN111112582A
,2020-05-08
[4]
一种高致密度的碳化硅陶瓷及其制备方法和应用
[P].
周宇章
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周宇章
;
吴利翔
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吴利翔
;
郭伟明
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郭伟明
;
朱林林
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朱林林
;
林华泰
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林华泰
.
中国专利
:CN112062572A
,2020-12-11
[5]
一种高致密度的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法
[P].
段深圳
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段深圳
.
中国专利
:CN112279650A
,2021-01-29
[6]
一种高致密度高纯度碳化硅衬底材料的制备方法
[P].
白秋云
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白秋云
.
中国专利
:CN108558405B
,2018-09-21
[7]
一种高致密度的碳化硅复合材料的制备方法
[P].
李友宝
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李友宝
;
励永平
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励永平
;
叶传剑
论文数:
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叶传剑
.
中国专利
:CN106316401A
,2017-01-11
[8]
一种高致密碳化硅陶瓷的制备方法
[P].
刘凯
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刘凯
;
李秋南
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李秋南
;
王惠民
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王惠民
;
周波
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周波
;
翟桂昌
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翟桂昌
;
蔡辉
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蔡辉
;
吴急涛
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吴急涛
;
黄涛
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黄涛
.
中国专利
:CN111138197A
,2020-05-12
[9]
一种碳化硅材料制备方法、碳化硅材料及碳化硅部件
[P].
杜宗伟
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
杜宗伟
;
杨佐东
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
杨佐东
;
罗春
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
罗春
;
陈欣
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
陈欣
;
张文平
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机构:
重庆臻宝半导体材料有限公司
重庆臻宝半导体材料有限公司
张文平
.
中国专利
:CN120138603A
,2025-06-13
[10]
高致密的碳化硅复合材料包壳及其制备方法
[P].
薛佳祥
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机构:
中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
薛佳祥
;
吴利翔
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机构:
中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
吴利翔
;
廖业宏
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机构:
中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
廖业宏
;
任啟森
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机构:
中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
任啟森
;
杨荣坤
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机构:
中广核研究院有限公司
中广核研究院有限公司
杨荣坤
.
中国专利
:CN119894849A
,2025-04-25
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