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半导体装置及半导体装置的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411506698.4
申请日
:
2017-06-19
公开(公告)号
:
CN119400771A
公开(公告)日
:
2025-02-07
发明(设计)人
:
玉井雄大
百濑文彦
申请人
:
富士电机株式会社
申请人地址
:
日本神奈川县
IPC主分类号
:
H01L23/498
IPC分类号
:
H01L21/607
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
胡曼
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-02-07
公开
公开
2025-02-25
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/498申请日:20170619
共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
玉井雄大
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
玉井雄大
;
百濑文彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
百濑文彦
.
中国专利
:CN107527892A
,2017-12-29
[2]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
洼内源宜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
洼内源宜
.
中国专利
:CN112786556A
,2021-05-11
[3]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
三野利一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
三野利一
.
中国专利
:CN107204293B
,2017-09-26
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
坂本阳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
坂本阳
.
中国专利
:CN106257660A
,2016-12-28
[5]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
横山好彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
横山好彦
;
西山佳秀
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
西山佳秀
.
中国专利
:CN1744315A
,2006-03-08
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
大濑智文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
大濑智文
.
中国专利
:CN108735722A
,2018-11-02
[7]
半导体装置的制造方法及半导体装置
[P].
畠山惠一
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
畠山惠一
;
竹越正明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
竹越正明
;
豊岛刚树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
株式会社力森诺科
株式会社力森诺科
豊岛刚树
.
日本专利
:CN119452472A
,2025-02-14
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
大濑智文
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
富士电机株式会社
富士电机株式会社
大濑智文
.
日本专利
:CN108735722B
,2024-01-16
[9]
半导体装置、及半导体装置的制造方法
[P].
前田竹识
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
前田竹识
;
黑泽哲也
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
铠侠股份有限公司
铠侠股份有限公司
黑泽哲也
.
日本专利
:CN117690877A
,2024-03-12
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法
[P].
奥村弘守
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
奥村弘守
.
中国专利
:CN102576694A
,2012-07-11
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