半导体装置及半导体装置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411506698.4
申请日
2017-06-19
公开(公告)号
CN119400771A
公开(公告)日
2025-02-07
发明(设计)人
玉井雄大 百濑文彦
申请人
富士电机株式会社
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L23/498
IPC分类号
H01L21/607
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
胡曼
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
玉井雄大 ;
百濑文彦 .
中国专利 :CN107527892A ,2017-12-29
[2]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
洼内源宜 .
中国专利 :CN112786556A ,2021-05-11
[3]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
三野利一 .
中国专利 :CN107204293B ,2017-09-26
[4]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
坂本阳 .
中国专利 :CN106257660A ,2016-12-28
[5]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
横山好彦 ;
西山佳秀 .
中国专利 :CN1744315A ,2006-03-08
[6]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
大濑智文 .
中国专利 :CN108735722A ,2018-11-02
[7]
半导体装置的制造方法及半导体装置 [P]. 
畠山惠一 ;
竹越正明 ;
豊岛刚树 .
日本专利 :CN119452472A ,2025-02-14
[8]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
大濑智文 .
日本专利 :CN108735722B ,2024-01-16
[9]
半导体装置、及半导体装置的制造方法 [P]. 
前田竹识 ;
黑泽哲也 .
日本专利 :CN117690877A ,2024-03-12
[10]
半导体装置及半导体装置的制造方法 [P]. 
奥村弘守 .
中国专利 :CN102576694A ,2012-07-11