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自对准离子植入MOSFET及制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310854481.1
申请日：
2023-07-12
公开(公告)号：
CN119325254A
公开(公告)日：
2025-01-17
发明(设计)人：
黄子伦
申请人：
苏州聚谦半导体有限公司
申请人地址：
215123 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园21-A401-001单元
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D30/01
H01L21/266
代理机构：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286
代理人：
张磊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省
苏州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-11 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20230712 |
| 2025-01-17 | 公开 | 公开 |