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高周波デバイス用基板およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220181395
申请日
:
2022-11-11
公开(公告)号
:
JP7609154B2
公开(公告)日
:
2025-01-07
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10D88/00
IPC分类号
:
H01L21/02
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
高周波デバイス用基板、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7605152B2
,2024-12-24
[2]
高周波用基板およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007069491A1
,2009-05-21
[3]
高周波部品およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022105393A
,2022-07-14
[4]
高周波デバイス用電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびに高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP6295802B2
,2018-03-20
[5]
高周波デバイスおよび空中線[ja]
[P].
日本专利
:JP6910313B2
,2021-07-28
[6]
高周波回路および高周波回路の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2021053720A1
,2021-09-30
[7]
高周波回路および高周波回路の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6705612B1
,2020-06-03
[8]
高周波光学スイッチおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7745913B2
,2025-09-30
[9]
高周波光学スイッチおよびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2020528581A
,2020-09-24
[10]
高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板[ja]
[P].
日本专利
:JP6714884B2
,2020-07-01
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