半导体器件的制造方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411782367.3

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN119447029A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

邱盼盼陈献龙贾晓峰孙林马振萍张立贵

申请人：

粤芯半导体技术股份有限公司

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/532

代理机构：

北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884

代理人：

陈照辉

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开
2025-03-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20241205

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造该半导体器件的方法 [P].

金锡源 ;

具奉珍 ;

金硕壎 ;

朴志镐 ;

柳相赫 ;

河龙湖 ;

穆萨拉特·哈桑 .

韩国专利 :CN119028905A ,2024-11-26

[2]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019B ,2024-07-02

[4]

半导体器件以及半导体器件制造方法 [P].

李彰洙 ;

李钟鸣 ;

金益秀 ;

任智芸 .

中国专利 :CN112614847A ,2021-04-06

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130643B ,2021-07-16

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

明台勋 ;

郑载勋 ;

金锡勋 ;

益冈有里 ;

洪秀宪 ;

金旻怡 ;

申宇胜 ;

李尚炫 ;

郑东灿 .

韩国专利 :CN120076398A ,2025-05-30

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130644A ,2021-07-16

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN112771677A ,2021-05-07

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130645A ,2021-07-16

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

韩秋华 ;

符雅丽 .

中国专利 :CN102194737A ,2011-09-21

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