一种晶圆的动态参数测试电路及测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411854245.0

申请日：

2024-12-17

公开(公告)号：

CN119335349A

公开(公告)日：

2025-01-21

发明(设计)人：

王煜

申请人：

赛英特半导体技术（西安）有限公司

申请人地址：

710117 陕西省西安市高新区西部大道170号西安丰泽科技园2号楼401室

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

H01L21/66

代理机构：

西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253

代理人：

沈寒酉;李斌栋

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-21	公开	公开
2025-03-18	授权	授权
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20241217

共 50 条

[1]

一种晶圆的动态参数测试电路及测试方法 [P].

王煜 .

中国专利 :CN119335349B ,2025-03-18

[2]

一种晶圆的动态参数测试电路及测试方法 [P].

王煜 .

中国专利 :CN119335350A ,2025-01-21

[3]

一种晶圆的动态参数测试电路及测试方法 [P].

王煜 .

中国专利 :CN119335350B ,2025-09-23

[4]

晶圆测试机台及晶圆动态参数的测试方法 [P].

陈希辰 ;

钟有权 .

中国专利 :CN118191549B ,2024-08-06

[5]

晶圆测试机台及晶圆动态参数的测试方法 [P].

陈希辰 ;

钟有权 .

中国专利 :CN118191549A ,2024-06-14

[6]

一种晶圆的动态参数测试装置及测试方法 [P].

何国洪 ;

黄瑞柱 .

中国专利 :CN118566677A ,2024-08-30

[7]

测试电路及晶圆 [P].

朱宏成 .

中国专利 :CN117990952A ,2024-05-07

[8]

用于MOSFET动态参数测试的RSW测试电路及测试装置 [P].

安浩 .

中国专利 :CN214122393U ,2021-09-03

[9]

背漏极MOSFET晶圆动态参数测试结构及方法 [P].

岑政 ;

向飞 ;

蔡建荣 ;

罗寻 ;

罗俊 ;

杨晓强 ;

韩星 ;

吴兆希 ;

王祖正 .

中国专利 :CN117517914A ,2024-02-06

[10]

一种电气参数测试电路及测试系统 [P].

袁琰 ;

姜祎春 ;

王晓强 .

中国专利 :CN207133372U ,2018-03-23

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