用于测量多层电容器的DC偏置老化特性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410622532.2

申请日：

2024-05-20

公开(公告)号：

CN119438740A

公开(公告)日：

2025-02-14

发明(设计)人：

金东锡李健镛徐明德申东辉

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

G01R31/00

IPC分类号：

G01R1/28

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

沈浩;赵晓旋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电容器和用于制造该多层电容器的方法 [P].

金璟俊 ;

金董奎 ;

金美京 ;

郑显九 ;

田镐仁 .

韩国专利 :CN117594355A ,2024-02-23

[2]

多层电容器和制造多层电容器的方法 [P].

李泽正 ;

吴范奭 ;

李皓晙 ;

金贤泽 ;

金玉男 ;

姜晟馨 .

韩国专利 :CN118782389A ,2024-10-15

[3]

多层电容器和制造多层电容器的方法 [P].

朴善浩 ;

李载锡 ;

姜晟馨 ;

具根会 .

韩国专利 :CN118538539A ,2024-08-23

[4]

多层电容器和制造多层电容器的方法 [P].

韩知惠 ;

崔弘济 ;

姜炳宇 ;

朴慧眞 ;

尹秀允 ;

李相旭 ;

金政民 .

韩国专利 :CN118280728A ,2024-07-02

[5]

多层电容器及制造多层电容器的方法 [P].

金政民 ;

具本锡 ;

崔畅学 ;

康谐率 ;

韩知惠 ;

姜炳宇 .

中国专利 :CN108695067B ,2018-10-23

[6]

多层电容器和制造多层电容器的方法 [P].

辛敏基 ;

权泰均 ;

禹衡燮 ;

金仁慧 ;

金宙煐 ;

柳根宇 ;

李炅烈 .

韩国专利 :CN120199613A ,2025-06-24

[7]

多层电容器、用于安装多层电容器的板及其制造方法 [P].

姜东佑 .

中国专利 :CN114388262A ,2022-04-22

[8]

多层电容器和用于制造多层电容器的方法 [P].

M.肖斯曼 ;

G.恩格尔 ;

S.奥伯迈尔 ;

B.德尔加斯特 ;

M.科伊尼 ;

J.康拉德 .

中国专利 :CN104781894B ,2015-07-15

[9]

多层电容器和用于安装该多层电容器的板 [P].

赵范俊 .

中国专利 :CN114446658A ,2022-05-06

[10]

多层电容器和用于安装该多层电容器的板 [P].

琴东薰 ;

金东锡 ;

李建龙 ;

姜晟求 ;

宋永训 .

中国专利 :CN114639549A ,2022-06-17

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