半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒复合物和包括半导体纳米颗粒的电子装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411083991.4
申请日
2024-08-08
公开(公告)号
CN119463857A
公开(公告)日
2025-02-18
发明(设计)人
曹雅罗 权秀暻 杨承林 金善英 金泰坤 李准浩 林美惠
申请人
三星电子株式会社
申请人地址
韩国京畿道水原市
IPC主分类号
C09K11/62
IPC分类号
C09K11/02 B82Y20/00 B82Y40/00
代理机构
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人
郭小莲;任旭
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体纳米颗粒、该半导体纳米颗粒的制造方法、包括该半导体纳米颗粒的电子装置 [P]. 
杨承林 ;
金旻淏 ;
文得圭 ;
元那渊 ;
蔡洙仁 ;
金泰坤 ;
李准浩 .
韩国专利 :CN119505884A ,2025-02-25
[2]
半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒、包括半导体纳米颗粒的电致发光器件、和显示装置 [P]. 
尹多恩 ;
河炫同 ;
闵智玄 .
韩国专利 :CN120383936A ,2025-07-29
[3]
半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的制备方法、墨组合物、半导体纳米颗粒复合物、颜色转换结构和电子装置 [P]. 
裵民钟 ;
曺雅罗 ;
蔡洙仁 ;
元那渊 ;
金泽勳 ;
李准浩 ;
金泰坤 .
韩国专利 :CN120442245A ,2025-08-08
[4]
半导体纳米颗粒及包含半导体纳米颗粒的电子装置 [P]. 
权善英 ;
裵完基 ;
李学俊 ;
权永洙 ;
吴根灿 ;
李赫珍 ;
张峻赫 .
韩国专利 :CN115968395B ,2025-02-18
[5]
半导体纳米颗粒、电子器件和制造半导体纳米颗粒的方法 [P]. 
李秀浩 ;
南敏基 ;
金成云 ;
朴正佑 ;
裵完基 ;
李昌熙 ;
郑炳局 .
中国专利 :CN114437727A ,2022-05-06
[6]
半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的生产方法和包括半导体纳米粒子的发光装置 [P]. 
李准浩 ;
金星祐 ;
张豪根 ;
金光熙 ;
金鲜基 .
韩国专利 :CN120904896A ,2025-11-07
[7]
半导体性纳米颗粒 [P]. 
S·卡里利 ;
A·塞姆尤诺夫 ;
K·Y·N·奥德 .
中国专利 :CN111742033A ,2020-10-02
[8]
半导体发光纳米颗粒 [P]. 
A·塞姆尤诺夫 ;
E·沙维夫 .
中国专利 :CN111225964A ,2020-06-02
[9]
半导体发光纳米颗粒 [P]. 
I·利伯曼 ;
D·格罗兹曼 ;
A·塞姆尤诺夫 ;
E·沙维夫 ;
C-H·库彻恩塞尔 ;
S·内什塔特 ;
N·格兰巴赫 .
中国专利 :CN110461991A ,2019-11-15
[10]
半导体纳米颗粒/纳米纤维复合电极 [P]. 
乔启全 ;
P.乔什 ;
冯浩 ;
D.加里波厄 ;
张立峰 .
中国专利 :CN102714240A ,2012-10-03