半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的生产方法和包括半导体纳米粒子的发光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510538144.0

申请日：

2025-04-27

公开(公告)号：

CN120904896A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

李准浩金星祐张豪根金光熙金鲜基

申请人：

三星电子株式会社三星显示有限公司

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

C09K11/88

IPC分类号：

H10K50/115 B82Y40/00 B82Y20/00 C09K11/02 B82Y30/00

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

张川绪;尹淑梅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体纳米颗粒、半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒复合物和包括半导体纳米颗粒的电子装置 [P].

曹雅罗 ;

权秀暻 ;

杨承林 ;

金善英 ;

金泰坤 ;

李准浩 ;

林美惠 .

韩国专利 :CN119463857A ,2025-02-18

[2]

半导体纳米颗粒的制造方法、半导体纳米颗粒、包括半导体纳米颗粒的电致发光器件、和显示装置 [P].

尹多恩 ;

河炫同 ;

闵智玄 .

韩国专利 :CN120383936A ,2025-07-29

[3]

半导体纳米颗粒、该半导体纳米颗粒的制造方法、包括该半导体纳米颗粒的电子装置 [P].

杨承林 ;

金旻淏 ;

文得圭 ;

元那渊 ;

蔡洙仁 ;

金泰坤 ;

李准浩 .

韩国专利 :CN119505884A ,2025-02-25

[4]

半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P].

高桥美枝 ;

福田一人 .

日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23

[5]

半导体发光纳米颗粒 [P].

A·塞姆尤诺夫 ;

E·沙维夫 .

中国专利 :CN111225964A ,2020-06-02

[6]

半导体发光纳米颗粒 [P].

I·利伯曼 ;

D·格罗兹曼 ;

A·塞姆尤诺夫 ;

E·沙维夫 ;

C-H·库彻恩塞尔 ;

S·内什塔特 ;

N·格兰巴赫 .

中国专利 :CN110461991A ,2019-11-15

[7]

半导体纳米颗粒及包含半导体纳米颗粒的电子装置 [P].

权善英 ;

裵完基 ;

李学俊 ;

权永洙 ;

吴根灿 ;

李赫珍 ;

张峻赫 .

韩国专利 :CN115968395B ,2025-02-18

[8]

半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 [P].

森山乔史 ;

本吉亮介 .

中国专利 :CN111556850A ,2020-08-18

[9]

半导体发光纳米粒子 [P].

I·达维迪 ;

A·伊尔兹 ;

N·格兰巴赫 ;

M·科奥利克 ;

S·内什塔特 ;

A·拉布金 ;

H·阿贝尔 .

中国专利 :CN110072969A ,2019-07-30

[10]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P].

鸟本司 ;

龟山达矢 ;

久保淳弥 ;

藤平纪一 .

日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24

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