半导体结构及其制备方法、存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210446021.0

申请日：

2022-04-26

公开(公告)号：

CN117015230B

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

刘佑铭肖德元蒋懿邵光速

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

李泽伦 .

中国专利 :CN119108419A ,2024-12-10

[2]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

李泽伦 .

中国专利 :CN119108419B ,2025-10-17

[3]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

邵波 ;

陈军 ;

王震 .

中国专利 :CN118538761A ,2024-08-23

[4]

半导体结构及其制造方法、存储器 [P].

陈海波 .

中国专利 :CN118571924A ,2024-08-30

[5]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

辛拓 ;

刘朝 ;

黑泽峘 .

中国专利 :CN120076305A ,2025-05-30

[6]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

韩欣茹 ;

陈洋 ;

张仕然 .

中国专利 :CN117995759A ,2024-05-07

[7]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

沈宇桐 .

中国专利 :CN118380467A ,2024-07-23

[8]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

蔡志勇 ;

张子玉 ;

潘杰 ;

明帆 ;

罗兴安 ;

周毅 .

中国专利 :CN115458528A ,2022-12-09

[9]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

关超阳 ;

刘健 ;

罗东 ;

金娇 ;

韩宝东 ;

桂文华 .

中国专利 :CN118870809A ,2024-10-29

[10]

半导体结构及其制备方法、存储器 [P].

鲍锡飞 .

中国专利 :CN118354593A ,2024-07-16

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