具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411334564.9

申请日：

2024-09-24

公开(公告)号：

CN118854449B

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

李国强衣新燕罗添友

申请人：

广州市艾佛光通科技有限公司

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区瑞吉二街49号201房

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/40 C23C14/06 C23C14/35 H01L21/02 C07D487/22

代理机构：

广东海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377

代理人：

莫荣津

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-14	授权	授权
2024-10-29	公开	公开
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20240924

共 50 条

[1]

具有缓冲层的高质量AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN118854449A ,2024-10-29

[2]

一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王明星 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN109994377A ,2019-07-09

[3]

用于形成高质量AlN薄膜的外延结构、制备方法及应用 [P].

周溯沅 ;

王国斌 .

中国专利 :CN117587510A ,2024-02-23

[4]

一种高质量AlN薄膜材料及其制备方法 [P].

孙秀建 ;

黄应南 ;

孙钱 ;

魏永强 ;

许奇明 ;

沈雁伟 .

中国专利 :CN119287520A ,2025-01-10

[5]

一种利用缓冲层制备高质量ZnO薄膜的方法 [P].

王林军 ;

唐可 ;

黄健 ;

赖建明 ;

管玉兰 ;

夏义本 .

中国专利 :CN101323971A ,2008-12-17

[6]

一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P].

王充 ;

侯杰 ;

张童 ;

张晓娜 .

中国专利 :CN118390159B ,2024-08-23

[7]

一种高质量AlN薄膜及其制作方法和应用 [P].

李国强 ;

衣新燕 ;

罗添友 .

中国专利 :CN117926181A ,2024-04-26

[8]

一种低应力高质量AlN薄膜的制备方法 [P].

王充 ;

侯杰 ;

张童 ;

张晓娜 .

中国专利 :CN118390159A ,2024-07-26

[9]

极性可控的高质量AlN模板制备方法 [P].

刘志彬 ;

郭亚楠 ;

闫建昌 ;

李晋闽 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111676451A ,2020-09-18

[10]

高质量低应力AlN图形模板的制备方法 [P].

郭亚楠 ;

刘志彬 ;

闫建昌 ;

李晋闽 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111710594A ,2020-09-25

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