发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411650551.2

申请日：

2024-11-19

公开(公告)号：

CN119486386A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

汪恒青王雪峰张星星胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/81 H10H20/825 H01L21/02

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

熊兵

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20241119
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119486386B ,2025-10-17

[2]

发光二极管外延片制备方法及发光二极管外延片 [P].

刘旺平 ;

梅劲 ;

刘春杨 ;

张武斌 ;

葛永晖 .

中国专利 :CN112467000A ,2021-03-09

[3]

发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片 [P].

姚振 ;

从颖 ;

陈柏松 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105576090A ,2016-05-11

[4]

发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片 [P].

洪威威 ;

王倩 ;

梅劲 ;

张奕 ;

董彬忠 .

中国专利 :CN112259647A ,2021-01-22

[5]

发光二极管外延片制作方法及发光二极管外延片 [P].

从颖 ;

姚振 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105679893A ,2016-06-15

[6]

发光二极管外延片的制造方法及发光二极管外延片 [P].

张武斌 ;

梅劲 ;

王坤 ;

刘春杨 .

中国专利 :CN112289897A ,2021-01-29

[7]

一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片 [P].

郭炳磊 ;

王群 ;

葛永晖 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN107887480B ,2018-04-06

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

曹阳 ;

乔楠 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920890B ,2019-06-21

[9]

发光二极管、外延片及发光二极管外延片的制备方法 [P].

曹阳 ;

乔楠 ;

张武斌 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN110085708B ,2019-08-02

[10]

氮化镓发光二极管外延片 [P].

刘伟 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN104465916B ,2015-03-25

← 1 2 3 4 5 →