氮化镓发光二极管外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510003033.6

申请日：

2015-01-05

公开(公告)号：

CN104465916B

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

刘伟郑远志陈向东康建梁旭东

申请人：

申请人地址：

243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨文娟;黄健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607349671 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2015100030336 申请日:20150105
2017-02-22	授权	授权
2017-12-29	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/06 变更事项:专利权人变更前:圆融光电科技有限公司变更后:圆融光电科技股份有限公司变更事项:地址变更前:243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层变更后:243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋
2015-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓发光二极管外延片 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN216958071U ,2022-07-12

[2]

一种发光二极管外延片的生长方法及发光二极管外延片 [P].

姚振 ;

从颖 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN108461582A ,2018-08-28

[3]

发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119486386B ,2025-10-17

[4]

发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119486386A ,2025-02-18

[5]

一种发光二极管外延片 [P].

牛志宇 .

中国专利 :CN203406315U ,2014-01-22

[6]

一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114551660A ,2022-05-27

[7]

一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114551660B ,2025-12-09

[8]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

张奕 ;

董彬忠 ;

王江波 .

中国专利 :CN112133799A ,2020-12-25

[9]

氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 [P].

刘旺平 ;

乔楠 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109980056B ,2019-07-05

[10]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810332B ,2024-05-17

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