一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210148854.9

申请日：

2022-02-18

公开(公告)号：

CN114551660A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

解向荣吴永胜刘恒山马野

申请人：

申请人地址：

350109 福建省福州市闽侯县南屿镇生物医药和机电产业园区

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L3314

代理机构：

福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214

代理人：

唐燕玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-27	公开	公开
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20220218

共 50 条

[1]

一种氮化镓发光二极管外延片 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN216958071U ,2022-07-12

[2]

一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法 [P].

解向荣 ;

吴永胜 ;

刘恒山 ;

马野 .

中国专利 :CN114551660B ,2025-12-09

[3]

氮化镓发光二极管外延片 [P].

刘伟 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

康建 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN104465916B ,2015-03-25

[4]

发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119486386B ,2025-10-17

[5]

发光二极管外延片制备方法、发光二极管外延片及设备 [P].

汪恒青 ;

王雪峰 ;

张星星 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119486386A ,2025-02-18

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

曹阳 ;

乔楠 ;

郭炳磊 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 ;

李鹏 .

中国专利 :CN109920890B ,2019-06-21

[7]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810332B ,2024-05-17

[8]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117810332A ,2024-04-02

[9]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637948A ,2024-03-01

[10]

氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法 [P].

王群 ;

郭炳磊 ;

葛永晖 ;

王江波 ;

董彬忠 ;

李鹏 .

中国专利 :CN113517381B ,2021-10-19

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