一种高深宽比结构的硅深刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411510070.1

申请日：

2024-10-28

公开(公告)号：

CN119361425A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

李力一于道江

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

IPC主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

H01L21/308 H01L21/67 B81C1/00

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

许婉静

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-24	公开	公开
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20241028

共 50 条

[1]

高深宽比硅深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李明 ;

李婷 ;

邓珂 ;

李修函 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1209799C ,2003-07-23

[2]

多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李婷 ;

邓珂 ;

田大宇 ;

李静 ;

王玮 ;

王兆江 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1438544A ,2003-08-27

[3]

一种超低温深硅刻蚀方法及高深宽比刻蚀结构 [P].

王士京 ;

李俭 ;

张名瑜 ;

朱佳乐 ;

何德钦 ;

朱亚迪 .

中国专利 :CN121123020A ,2025-12-12

[4]

高深宽比深硅结构的图形化定义方法及高深宽比深硅结构 [P].

王士京 ;

梁洁 ;

张名瑜 ;

李俭 ;

王晓雯 ;

彭国发 .

中国专利 :CN121171886A ,2025-12-19

[5]

高深宽比铝刻蚀方法 [P].

王泽玉 ;

沈显青 ;

李东 .

中国专利 :CN118943022A ,2024-11-12

[6]

一种高深宽比深硅刻蚀结构及其图形化方法 [P].

梁洁 ;

王士京 ;

王兆祥 ;

胥沛雯 ;

朱佳乐 ;

何德钦 .

中国专利 :CN121123024A ,2025-12-12

[7]

电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法 [P].

张俐楠 ;

陆凯 ;

刘红英 ;

吴立群 ;

王洪成 .

中国专利 :CN112750687A ,2021-05-04

[8]

硅深刻蚀方法 [P].

蒋中伟 .

中国专利 :CN104752158B ,2015-07-01

[9]

一种高深宽比刻蚀结构及其制作方法 [P].

王士京 ;

王兆祥 ;

涂乐义 ;

桂智谦 ;

沈康 ;

王晓雯 ;

陈刚 .

中国专利 :CN121123021A ,2025-12-12

[10]

一种高深宽比结构湿法刻蚀方法及设备 [P].

徐云霞 .

中国专利 :CN120463151A ,2025-08-12

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