硅深刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310746215.3

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN104752158B

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

蒋中伟

申请人：

申请人地址：

100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

陈振

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618657687 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013107462153 申请日:20131230
2015-07-01	公开	公开
2019-02-19	授权	授权
2017-10-17	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:申请人变更前:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司变更后:北京北方华创微电子装备有限公司变更事项:地址变更前:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号变更后:100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

共 50 条

[1]

高深宽比硅深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李明 ;

李婷 ;

邓珂 ;

李修函 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1209799C ,2003-07-23

[2]

体硅湿法深刻蚀的保护方法 [P].

刘泽文 ;

张磊 ;

龚著浩 .

中国专利 :CN104599964B ,2015-05-06

[3]

全干法深刻蚀硅溶片制造方法 [P].

吕苗 ;

何洪涛 ;

徐永青 .

中国专利 :CN1439598A ,2003-09-03

[4]

光栅深刻蚀的方法 [P].

王勇禄 ;

晋云霞 ;

曹红超 ;

孔钒宇 ;

张益彬 ;

邵建达 .

中国专利 :CN111916330A ,2020-11-10

[5]

一种高深宽比结构的硅深刻蚀方法 [P].

李力一 ;

于道江 .

中国专利 :CN119361425A ,2025-01-24

[6]

多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法 [P].

张大成 ;

李婷 ;

邓珂 ;

田大宇 ;

李静 ;

王玮 ;

王兆江 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1438544A ,2003-08-27

[7]

高压深刻蚀石英盖板 [P].

兰锋 .

中国专利 :CN212648201U ,2021-03-02

[8]

玻璃衬底上全干法深刻蚀硅微机械加工方法 [P].

徐永青 ;

何洪涛 ;

罗蓉 .

中国专利 :CN1488569A ,2004-04-14

[9]

电化学深刻蚀方法及其装置 [P].

王连卫 ;

陈瑜 ;

赖宗声 .

中国专利 :CN1631764A ,2005-06-29

[10]

一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺 [P].

王丹丹 ;

陈迎迎 ;

刘彤 .

中国专利 :CN117902545A ,2024-04-19

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