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多栅极晶体管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980090669.5
申请日：
2019-11-29
公开(公告)号：
CN113678262B
公开(公告)日：
2025-01-14
发明(设计)人：
拉杜·亚历山德鲁·斯波雷亚 伊娃·拜斯特林克
申请人：
萨里大学
申请人地址：
英国萨里
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H10K10/46
代理机构：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258
代理人：
桑敏
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-01-14 授权 授权
共 50 条
[1]
多栅极晶体管 [P]. 
拉杜·亚历山德鲁·斯波雷亚 ;
伊娃·拜斯特林克 .
中国专利 :CN113678262A ,2021-11-19
[2]
多栅极晶体管的结构 [P]. 
杨育佳 ;
杨富量 ;
胡正明 .
中国专利 :CN2710166Y ,2005-07-13
[3]
多栅极薄膜晶体管 [P]. 
约翰·贤哲·洪 ;
金天弘 ;
冯子青 .
中国专利 :CN104508829A ,2015-04-08
[4]
多重栅极晶体管 [P]. 
杨育佳 ;
杨富量 ;
胡正明 .
中国专利 :CN2751447Y ,2006-01-11
[5]
双栅极晶体管 [P]. 
梁中瑜 ;
甘丰源 ;
张鼎张 .
中国专利 :CN1885563A ,2006-12-27
[6]
多个背栅极晶体管 [P]. 
T·B·霍克 ;
R·A·费尔普斯 ;
A·K·斯坦珀 ;
R·A·卡米略-卡斯蒂略 .
中国专利 :CN107342258B ,2017-11-10
[7]
多栅极晶体管的结构及其制造方法 [P]. 
杨育佳 ;
杨富量 ;
胡正明 .
中国专利 :CN1534745A ,2004-10-06
[8]
多栅极薄膜晶体管 [P]. 
马尔科姆·詹姆斯·汤普森 .
中国专利 :CN88100903A ,1988-08-31
[9]
多栅极谐振沟道晶体管 [P]. 
S·马尼帕特鲁尼 ;
R·金 ;
R·巴斯卡兰 ;
R·K·多卡尼亚 ;
I·A·扬 .
中国专利 :CN105026309A ,2015-11-04
[10]
双栅极晶体管及应用此双栅极晶体管的像素结构 [P]. 
梁中瑜 ;
甘丰源 ;
张鼎张 .
中国专利 :CN101013725A ,2007-08-08
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