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相变存储器及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411522584.9
申请日：
2024-10-29
公开(公告)号：
CN119403132A
公开(公告)日：
2025-02-07
发明(设计)人：
张日东 明帆 朱雨宁
申请人：
新存科技（武汉）有限责任公司
申请人地址：
430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534（自贸区武汉片区）
IPC主分类号：
H10B63/10
IPC分类号：
H10N70/20 H10N70/00
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
王世璇;徐川
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-07 公开 公开
2025-10-03 授权 授权
2025-02-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/10申请日:20241029
共 50 条
[1]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
张日东 ;
明帆 ;
朱雨宁 .
中国专利 :CN119403132B ,2025-10-03
[2]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
申雄澈 .
中国专利 :CN101232036B ,2008-07-30
[3]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
吴关平 ;
肖德元 .
中国专利 :CN101958336A ,2011-01-26
[4]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
李莹 ;
吴关平 ;
任佳栋 .
中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11
[5]
一种相变存储器及其制造方法 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN112164748B ,2021-01-01
[6]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
杨海波 ;
刘峻 ;
付志成 ;
刘广宇 .
中国专利 :CN113644087A ,2021-11-12
[7]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
彭文林 ;
刘峻 ;
杨海波 ;
刘广宇 ;
付志成 .
中国专利 :CN113629099A ,2021-11-09
[8]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
洪中山 ;
何其旸 .
中国专利 :CN101958337A ,2011-01-26
[9]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
杨红心 ;
周凌珺 ;
刘峻 .
中国专利 :CN113871530A ,2021-12-31
[10]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
李莹 ;
吴关平 ;
王蕾 .
中国专利 :CN103296049A ,2013-09-11
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