相变存储器及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200910054952.0
申请日
2009-07-16
公开(公告)号
CN101958336A
公开(公告)日
2011-01-26
发明(设计)人
吴关平 肖德元
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L2724
IPC分类号
H01L2182 G11C1156
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
李丽
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
李莹 ;
吴关平 ;
任佳栋 .
中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11
[2]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
李莹 ;
吴关平 ;
王蕾 .
中国专利 :CN103296049A ,2013-09-11
[3]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
申雄澈 .
中国专利 :CN101232036B ,2008-07-30
[4]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
张日东 ;
明帆 ;
朱雨宁 .
中国专利 :CN119403132A ,2025-02-07
[5]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
张日东 ;
明帆 ;
朱雨宁 .
中国专利 :CN119403132B ,2025-10-03
[6]
相变存储器的制造方法 [P]. 
何其旸 ;
张翼英 .
中国专利 :CN102810631A ,2012-12-05
[7]
高密度相变存储器及其制备方法 [P]. 
钟旻 ;
陈寿面 ;
李铭 .
中国专利 :CN109686755B ,2019-04-26
[8]
集成有选择元件的相变存储器及其制造方法 [P]. 
宋润洽 ;
郑在景 .
中国专利 :CN112204746A ,2021-01-08
[9]
集成有选择元件的相变存储器及其制造方法 [P]. 
宋润洽 ;
郑在景 .
韩国专利 :CN112204746B ,2024-09-03
[10]
相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法 [P]. 
万旭东 ;
张步新 ;
吴关平 .
中国专利 :CN102487121B ,2012-06-06