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集成有选择元件的相变存储器及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201980033781.5
申请日：
2019-05-23
公开(公告)号：
CN112204746B
公开(公告)日：
2024-09-03
发明(设计)人：
宋润洽 郑在景
申请人：
三星电子株式会社
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10B63/10
IPC分类号：
H10N70/20
代理机构：
北京市立方律师事务所 11330
代理人：
李娜;王占杰
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-09-03 授权 授权
共 50 条
[1]
集成有选择元件的相变存储器及其制造方法 [P]. 
宋润洽 ;
郑在景 .
中国专利 :CN112204746A ,2021-01-08
[2]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
吴关平 ;
肖德元 .
中国专利 :CN101958336A ,2011-01-26
[3]
相变存储器及其制造方法 [P]. 
李莹 ;
吴关平 ;
任佳栋 .
中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11
[4]
相变存储器元件及其制造方法 [P]. 
卓言 ;
曾明豪 .
中国专利 :CN100524877C ,2007-12-26
[5]
相变存储器件及其制造方法 [P]. 
郑镇基 .
中国专利 :CN101552282A ,2009-10-07
[6]
一种相变随机存储器及其制造方法 [P]. 
任万春 .
中国专利 :CN102694120B ,2012-09-26
[7]
相变存储器的制造方法 [P]. 
何其旸 ;
张翼英 .
中国专利 :CN102810631A ,2012-12-05
[8]
相变存储器的制造方法 [P]. 
张翼英 ;
何其旸 .
中国专利 :CN102447060A ,2012-05-09
[9]
相变存储器的制造方法 [P]. 
陈庆鸿 ;
邱宗钰 ;
王志远 .
中国专利 :CN119053157A ,2024-11-29
[10]
相变存储器的制备方法和相变存储器 [P]. 
黄仕璋 ;
李宜政 ;
刘育宏 .
中国专利 :CN115428159B ,2025-10-03
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