包括磁隧道结的磁存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011058111.X

申请日：

2020-09-30

公开(公告)号：

CN112599661B

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

李成喆金洸奭李将银皮雄焕

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/01 H10N50/80 H10B61/00

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

翟然

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	授权	授权

共 50 条

[1]

包括磁隧道结的磁存储器件 [P].

李成喆 ;

金洸奭 ;

李将银 ;

皮雄焕 .

中国专利 :CN112599661A ,2021-04-02

[2]

具有垂直磁隧道结的磁存储器件 [P].

金佑填 ;

李俊明 ;

朴容星 ;

S.S.P.帕金 .

中国专利 :CN106803532B ,2017-06-06

[3]

磁隧道结以及磁存储器 [P].

张博宇 ;

赵巍胜 ;

廖宇 .

中国专利 :CN106025063B ,2016-10-12

[4]

磁隧道结和磁存储器 [P].

邢国忠 ;

王迪 ;

刘龙 ;

张一帆 ;

李愚 ;

赵之昊 ;

罗庆 ;

李泠 .

中国专利 :CN119907619A ,2025-04-29

[5]

磁存储器件 [P].

朴相奂 ;

金哉勋 ;

朴容星 ;

徐铉雨 ;

吴世忠 ;

赵显 .

中国专利 :CN114512596A ,2022-05-17

[6]

磁存储器件 [P].

金佑填 ;

李将银 ;

吴世忠 ;

金英铉 ;

崔锡宪 ;

林佑昶 .

中国专利 :CN102468425A ,2012-05-23

[7]

磁存储器件 [P].

金洸奭 ;

张荣万 ;

皮雄焕 .

中国专利 :CN111525025A ,2020-08-11

[8]

磁存储器件 [P].

吴世忠 ;

李将银 ;

李济珩 ;

金佑填 ;

林佑昶 ;

郑峻昊 ;

崔锡宪 .

中国专利 :CN102024903B ,2011-04-20

[9]

磁存储器件 [P].

李成喆 ;

金基雄 ;

朴相奂 ;

吴世忠 .

中国专利 :CN108023015A ,2018-05-11

[10]

磁存储器件 [P].

金廷穆 ;

金柱显 ;

吴世忠 ;

郑峻昊 .

韩国专利 :CN119156018A ,2024-12-17

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