磁隧道结和磁存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411994554.8

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119907619A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

邢国忠王迪刘龙张一帆李愚赵之昊罗庆李泠

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H10N50/10

IPC分类号：

H10N50/85 H10N50/01 H10B61/00

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

张鹏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/10申请日:20241231
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

磁隧道结以及磁存储器 [P].

张博宇 ;

赵巍胜 ;

廖宇 .

中国专利 :CN106025063B ,2016-10-12

[2]

隧道结层叠膜、磁存储元件和磁存储器 [P].

远藤哲郎 ;

斋藤好昭 ;

池田正二 ;

佐藤英夫 .

中国专利 :CN114641868A ,2022-06-17

[3]

磁隧道结元件和使用它的磁存储器 [P].

道嶋正司 ;

林秀和 ;

南方量二 .

中国专利 :CN1309430A ,2001-08-22

[4]

包括磁隧道结的磁存储器件 [P].

李成喆 ;

金洸奭 ;

李将银 ;

皮雄焕 .

韩国专利 :CN112599661B ,2025-02-11

[5]

包括磁隧道结的磁存储器件 [P].

李成喆 ;

金洸奭 ;

李将银 ;

皮雄焕 .

中国专利 :CN112599661A ,2021-04-02

[6]

磁隧道结及其形成方法、磁存储器 [P].

赵巍胜 ;

彭守仲 ;

芦家琪 ;

熊丹荣 .

中国专利 :CN111261772A ,2020-06-09

[7]

制造磁结的方法和磁存储器 [P].

德米特罗·埃帕尔科夫 ;

李敦权 ;

维拉迪默·尼基廷 ;

塞巴斯蒂安·沙费尔 .

中国专利 :CN108335977A ,2018-07-27

[8]

具有垂直磁隧道结的磁存储器件 [P].

金佑填 ;

李俊明 ;

朴容星 ;

S.S.P.帕金 .

中国专利 :CN106803532B ,2017-06-06

[9]

磁性隧道结器件及磁存储器 [P].

陈盛如 ;

王梦溪 ;

周铁军 ;

刘波 .

中国专利 :CN120936236A ,2025-11-11

[10]

磁单元和磁存储器 [P].

中村志保 ;

羽根田茂 ;

大沢裕一 .

中国专利 :CN101114694A ,2008-01-30

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