垂直自组装纳米复合结构铁电忆阻器、其制备方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411291658.2

申请日：

2024-09-14

公开(公告)号：

CN119486579A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

闫小兵张伟峰

申请人：

河北大学

申请人地址：

071002 河北省保定市五四东路180号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 B82Y30/00 B82Y40/00 H10B63/00

代理机构：

石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112

代理人：

胡素梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20240914
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

基于氮化铝钪的铁电忆阻器、其制备方法及应用 [P].

闫小兵 ;

张家赫 .

中国专利 :CN116056553B ,2025-10-28

[2]

一种二维铁电忆阻器、其制备方法及应用 [P].

王宏 ;

闫小兵 ;

王淑芳 ;

唐雨松 .

中国专利 :CN117615640A ,2024-02-27

[3]

一种反铁电选通管忆阻器、其制备方法及应用 [P].

赵建辉 ;

王佳成 ;

闫小兵 .

中国专利 :CN117460403A ,2024-01-26

[4]

一种反铁电选通管忆阻器、其制备方法及应用 [P].

范一博 ;

赵建辉 .

中国专利 :CN120225042A ,2025-06-27

[5]

利用激光自组装制备氧化铈纳米柱阵列结构忆阻器的方法 [P].

范丽莎 ;

吕益峰 ;

姚建华 ;

陈智君 ;

胡勇 ;

丁孝禹 ;

赵天真 .

中国专利 :CN118382348A ,2024-07-23

[6]

忆阻器及其制备方法、应用 [P].

张兆华 ;

庄腾飞 ;

林鼎 .

中国专利 :CN114497367A ,2022-05-13

[7]

一种二维铁电光电忆阻器、其制备方法及应用 [P].

王宏 ;

唐雨松 ;

闫小兵 ;

王淑芳 .

中国专利 :CN119095473A ,2024-12-06

[8]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[9]

一种基于DNA自组装的纳米孔忆阻器及其制备方法 [P].

章寅 ;

陈勇志 ;

陈云飞 .

中国专利 :CN118870964A ,2024-10-29

[10]

一种基于纳米线忆阻器的制备方法及忆阻器 [P].

袁祖庆 ;

黄天赐 ;

化麒麟 .

中国专利 :CN120018516A ,2025-05-16

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