一种基于纳米线忆阻器的制备方法及忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510190551.7

申请日：

2025-02-20

公开(公告)号：

CN120018516A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

袁祖庆黄天赐化麒麟

申请人：

北京理工大学

申请人地址：

100081 北京市海淀区中关村南大街5号

IPC主分类号：

H10B63/00

IPC分类号：

H10N70/00 H10N70/20 B82Y40/00

代理机构：

北京理工大学专利中心 11120

代理人：

刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/00申请日:20250220
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

忆阻器制备方法、忆阻器及设备 [P].

刘碧录 ;

陈文骏 ;

张荣杰 ;

郑荣戌 .

中国专利 :CN113675336A ,2021-11-19

[2]

忆阻器的制备方法，以及忆阻器 [P].

焦丽颖 ;

李哲威 .

中国专利 :CN119730711A ,2025-03-28

[3]

一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 [P].

徐海阳 ;

王中强 ;

赵晓宁 ;

马剑钢 ;

刘益春 .

中国专利 :CN104795493A ,2015-07-22

[4]

一种忆阻层及忆阻器 [P].

刘力锋 ;

后羿 ;

陈冰 ;

高滨 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN103280526B ,2013-09-04

[5]

一种纳米线忆阻器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

刘琦 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN102931344A ,2013-02-13

[6]

光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法 [P].

丁玎 ;

石小欢 ;

曾耀江 ;

谭平 ;

曹旭 ;

芦耀庭 .

中国专利 :CN120569119A ,2025-08-29

[7]

光忆阻器及基于光忆阻器的智能监控方法 [P].

丁玎 ;

石小欢 ;

曾耀江 ;

谭平 ;

曹旭 ;

芦耀庭 .

中国专利 :CN120569119B ,2025-10-24

[8]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860B ,2025-07-11

[9]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860A ,2023-01-17

[10]

忆阻器及忆阻器使用方法 [P].

刘雨亭 ;

赵维巍 ;

赵见远 .

中国专利 :CN120954464A ,2025-11-14

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