一种纳米线忆阻器及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110230870.4

申请日：

2011-08-12

公开(公告)号：

CN102931344A

公开(公告)日：

2013-02-13

发明(设计)人：

刘明李颖弢龙世兵刘琦吕杭炳

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

G11C1300 B82Y1000 B82Y4000

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101415519368 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011102308704 申请日:20110812
2015-03-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101712899154 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011102308704 申请公布日:20130213
2013-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

忆阻器及其制作方法 [P].

刘琦 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

吕杭炳 ;

王艳花 ;

王艳 ;

张森 ;

李颖涛 .

中国专利 :CN102544359A ,2012-07-04

[2]

一种忆阻器及其制作方法 [P].

许晓欣 ;

赖锦茹 ;

孙文绚 ;

余杰 ;

董大年 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN114242889A ,2022-03-25

[3]

一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 [P].

徐海阳 ;

王中强 ;

赵晓宁 ;

马剑钢 ;

刘益春 .

中国专利 :CN104795493A ,2015-07-22

[4]

忆阻器及其制作方法 [P].

王恒 ;

戴阳 ;

陶华露 ;

易成汉 ;

李文杰 ;

钟国华 ;

杨春雷 .

中国专利 :CN109659434A ,2019-04-19

[5]

一种基于纳米线忆阻器的制备方法及忆阻器 [P].

袁祖庆 ;

黄天赐 ;

化麒麟 .

中国专利 :CN120018516A ,2025-05-16

[6]

忆阻器及其制作方法 [P].

李菲菲 ;

樊博麟 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

黄杰 ;

姚念琦 ;

赵坤 ;

贺家煜 ;

付续 .

中国专利 :CN119072221A ,2024-12-03

[7]

一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器及制备方法 [P].

刘儒平 ;

王慰 .

中国专利 :CN105957963A ,2016-09-21

[8]

一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法 [P].

刘贵师 ;

陈伟真 ;

李海川 ;

陈雷 ;

王天琦 ;

成蕊 ;

罗云瀚 ;

陈耀飞 .

中国专利 :CN117897043A ,2024-04-16

[9]

一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法 [P].

刘贵师 ;

陈伟真 ;

李海川 ;

陈雷 ;

王天琦 ;

成蕊 ;

罗云瀚 ;

陈耀飞 .

中国专利 :CN117897043B ,2024-07-12

[10]

一种基于二维碲烯纳米线的场效应忆阻器及其制作方法 [P].

姜昱丞 ;

龚帅楠 ;

高炬 .

中国专利 :CN113921706B ,2022-01-11

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