一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410012480.7

申请日：

2024-01-04

公开(公告)号：

CN117897043A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

刘贵师陈伟真李海川陈雷王天琦成蕊罗云瀚陈耀飞

申请人：

暨南大学

申请人地址：

510630 广东省广州市天河区黄埔大道西601号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 B82Y30/00 B82Y40/00 B22F1/054

代理机构：

北京荣哲知识产权代理事务所(普通合伙) 11998

代理人：

刘月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20240104
2024-07-12	授权	授权
2024-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法 [P].

刘贵师 ;

陈伟真 ;

李海川 ;

陈雷 ;

王天琦 ;

成蕊 ;

罗云瀚 ;

陈耀飞 .

中国专利 :CN117897043B ,2024-07-12

[2]

一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法 [P].

刘儒平 ;

石月 ;

李烨 ;

李路海 ;

王慰 ;

李仲晓 .

中国专利 :CN109273598A ,2019-01-25

[3]

一种基于纳米线忆阻器的制备方法及忆阻器 [P].

袁祖庆 ;

黄天赐 ;

化麒麟 .

中国专利 :CN120018516A ,2025-05-16

[4]

一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器 [P].

黄安平 ;

姬宇航 ;

高勤 ;

陈学良 ;

耿雪丽 .

中国专利 :CN111755600A ,2020-10-09

[5]

一种纳米线忆阻器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

刘琦 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN102931344A ,2013-02-13

[6]

一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 [P].

徐海阳 ;

王中强 ;

赵晓宁 ;

马剑钢 ;

刘益春 .

中国专利 :CN104795493A ,2015-07-22

[7]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860B ,2025-07-11

[8]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860A ,2023-01-17

[9]

一种金属纳米线网络、及其制备方法 [P].

杨为家 ;

刘均炎 ;

何鑫 ;

沈耿哲 ;

刘俊杰 ;

刘铭全 ;

王诺媛 ;

刘艳怡 ;

江嘉怡 .

中国专利 :CN108611609B ,2018-10-02

[10]

一种银纳米线的制备方法 [P].

陈平 ;

程晓丹 ;

陈明富 .

中国专利 :CN105562711A ,2016-05-11

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