一种基于复合纳米线网络结构的忆阻器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010551625.2

申请日：

2020-06-17

公开(公告)号：

CN111755600A

公开(公告)日：

2020-10-09

发明(设计)人：

黄安平姬宇航高勤陈学良耿雪丽

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

B82Y1000

代理机构：

北京慧泉知识产权代理有限公司 11232

代理人：

王顺荣;唐爱华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-15	授权	授权
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200617
2020-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于锯齿结构纳米线的柔性光电传感忆阻器 [P].

黄安平 ;

姬宇航 ;

高勤 ;

陈学良 ;

耿雪丽 .

中国专利 :CN111769194B ,2020-10-13

[2]

一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法 [P].

刘贵师 ;

陈伟真 ;

李海川 ;

陈雷 ;

王天琦 ;

成蕊 ;

罗云瀚 ;

陈耀飞 .

中国专利 :CN117897043A ,2024-04-16

[3]

一种分段纳米线网络忆阻器及其制备方法 [P].

刘贵师 ;

陈伟真 ;

李海川 ;

陈雷 ;

王天琦 ;

成蕊 ;

罗云瀚 ;

陈耀飞 .

中国专利 :CN117897043B ,2024-07-12

[4]

一种基于纳米线忆阻器的制备方法及忆阻器 [P].

袁祖庆 ;

黄天赐 ;

化麒麟 .

中国专利 :CN120018516A ,2025-05-16

[5]

具有网络结构纳米线的纳米线传感器 [P].

李正守 ;

丁润夏 ;

林兑旭 ;

白昌基 ;

金成镐 ;

金岐泫 .

中国专利 :CN103635795A ,2014-03-12

[6]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860B ,2025-07-11

[7]

一种基于碳化硅纳米线的忆阻器及其制备方法 [P].

尉国栋 ;

袁帅 ;

李兰 ;

翟配郴 ;

苏莹 ;

丁利苹 .

中国专利 :CN115623860A ,2023-01-17

[8]

一种基于纳米线阵列的忆阻器及其制备方法 [P].

徐海阳 ;

王中强 ;

赵晓宁 ;

马剑钢 ;

刘益春 .

中国专利 :CN104795493A ,2015-07-22

[9]

一种纳米线忆阻器及其制作方法 [P].

刘明 ;

李颖弢 ;

龙世兵 ;

刘琦 ;

吕杭炳 .

中国专利 :CN102931344A ,2013-02-13

[10]

一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法 [P].

刘儒平 ;

石月 ;

李烨 ;

李路海 ;

王慰 ;

李仲晓 .

中国专利 :CN109273598A ,2019-01-25

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