一种光子集成芯片结构及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202411260880.6
申请日
2024-09-10
公开(公告)号
CN118783230B
公开(公告)日
2025-02-14
发明(设计)人
张振宁 杨舒涵 李马惠 穆瑶 魏来严
申请人
陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请人地址
710061 陕西省西安市西咸新区沣西新城开元路1265号
IPC主分类号
H01S5/02
IPC分类号
H01S5/026
代理机构
西安通大专利代理有限责任公司 61200
代理人
李鹏威
法律状态
授权
国省代码
陕西省 西安市
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共 50 条
[1]
一种光子集成芯片结构及其制作方法 [P]. 
张振宁 ;
杨舒涵 ;
李马惠 ;
穆瑶 ;
魏来严 .
中国专利 :CN118783230A ,2024-10-15
[2]
一种光子集成芯片及其制备方法 [P]. 
张昭宇 ;
黄要然 ;
龚元昊 ;
谢文韬 .
中国专利 :CN115657205A ,2023-01-31
[3]
光子集成芯片 [P]. 
B·维尔斯蒂格 ;
C·加德纳 ;
H·F·琼斯 .
英国专利 :CN118302657A ,2024-07-05
[4]
一种光子集成芯片及其耦合结构 [P]. 
林天华 ;
郭德汾 ;
李显尧 .
中国专利 :CN214225478U ,2021-09-17
[5]
光子集成耦合结构、光子集成器件 [P]. 
李思敏 ;
姚笑笑 ;
潘时龙 .
中国专利 :CN113848609A ,2021-12-28
[6]
光子集成器件及其制作方法 [P]. 
张子旸 ;
陈红梅 ;
黄源清 ;
刘清路 .
中国专利 :CN108242452B ,2018-07-03
[7]
一种光子集成芯片 [P]. 
付孟博 ;
王梦宾 ;
管爽 ;
刘志忠 ;
刘杰涛 ;
王文亭 ;
张薇 ;
祝宁华 .
中国专利 :CN222484709U ,2025-02-14
[8]
芯片冷却结构及其制造方法及光子集成芯片 [P]. 
王启超 ;
刘玲玲 ;
余辉 ;
张强 ;
尹坤 .
中国专利 :CN116540368B ,2024-01-09
[9]
一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法 [P]. 
张国刚 ;
金志远 ;
陈宇飞 ;
葛海涛 ;
王永进 .
中国专利 :CN112563302B ,2021-03-26
[10]
光学组件、光子集成芯片及其耦合结构 [P]. 
郭德汾 ;
李显尧 .
中国专利 :CN114153024A ,2022-03-08