半导体器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010510070.7
申请日
2020-06-08
公开(公告)号
CN111668186B
公开(公告)日
2025-02-18
发明(设计)人
吕政 宋洵奕 王猛
申请人
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请人地址
310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号
IPC主分类号
H01L23/522
IPC分类号
H01L23/528 H01L21/768
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
沈千万 .
中国专利 :CN101136389A ,2008-03-05
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN110098175B ,2019-08-06
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
徐瑞璋 ;
朱奎 ;
常冰岩 ;
冯远皓 ;
朱新月 ;
潘冬 ;
刘念 ;
王琼 .
中国专利 :CN120527296A ,2025-08-22
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
殷华湘 ;
秦长亮 ;
马小龙 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN103681329B ,2017-07-11
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
王壮壮 ;
杜怡行 ;
杨耀华 ;
姚春 ;
王虎 .
中国专利 :CN114843276A ,2022-08-02
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
吕政 ;
宋洵奕 ;
王猛 .
中国专利 :CN111668186A ,2020-09-15
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
徐瑞璋 ;
王琼 ;
潘冬 .
中国专利 :CN119545835A ,2025-02-28
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
殷华湘 ;
钟汇才 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN104124198B ,2014-10-29
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
陈娟 ;
袁家贵 .
中国专利 :CN120127064A ,2025-06-10
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
殷华湘 ;
赵超 ;
陈大鹏 .
中国专利 :CN103311282B ,2013-09-18