半导体器件及其制造方法

被引:0
申请号
CN202210336648.0
申请日
2022-03-31
公开(公告)号
CN114843276A
公开(公告)日
2022-08-02
发明(设计)人
王壮壮 杜怡行 杨耀华 姚春 王虎
申请人
申请人地址
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号
H01L2711521
IPC分类号
H01L21336 H01L29788
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制造方法 [P]. 
邵章朋 ;
马亚强 ;
张伟 .
中国专利 :CN120711815B ,2025-12-26
[2]
半导体器件的制造方法 [P]. 
邵章朋 ;
马亚强 ;
张伟 .
中国专利 :CN120711815A ,2025-09-26
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120432381A ,2025-08-05
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
张须坤 ;
朱春林 ;
姜克 ;
吴泽宇 ;
左慧玲 .
中国专利 :CN119947212A ,2025-05-06
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
蔡亚果 ;
刘哲郡 ;
陆尉 ;
曹亚民 .
中国专利 :CN118380433A ,2024-07-23
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
高学 ;
杜天伦 .
中国专利 :CN112242305A ,2021-01-19
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120676702A ,2025-09-19
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
高学 ;
杜天伦 .
中国专利 :CN112242305B ,2024-02-02
[9]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
赵东光 ;
占琼 .
中国专利 :CN108878361A ,2018-11-23
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
王桂磊 .
中国专利 :CN103137488B ,2013-06-05