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半导体器件及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110394014.2
申请日
:
2011-12-01
公开(公告)号
:
CN103137488B
公开(公告)日
:
2013-06-05
发明(设计)人
:
王桂磊
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
H01L2910
代理机构
:
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370
代理人
:
朱海波
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-07-10
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486726365 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011103940142 申请日:20111201
2013-06-05
公开
公开
2015-09-30
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法
[P].
王壮壮
论文数:
0
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0
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王壮壮
;
杜怡行
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杜怡行
;
杨耀华
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杨耀华
;
姚春
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姚春
;
王虎
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王虎
.
中国专利
:CN114843276A
,2022-08-02
[2]
半导体器件及其制造方法
[P].
殷华湘
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殷华湘
;
朱慧珑
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朱慧珑
;
马小龙
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马小龙
.
中国专利
:CN103839816A
,2014-06-04
[3]
半导体器件及其制造方法
[P].
王桂磊
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王桂磊
;
李春龙
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李春龙
;
赵超
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赵超
;
李俊峰
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李俊峰
.
中国专利
:CN102842595B
,2012-12-26
[4]
半导体器件及其制造方法
[P].
王桂磊
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王桂磊
;
李春龙
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李春龙
;
赵超
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赵超
;
李俊峰
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李俊峰
.
中国专利
:CN102842614B
,2012-12-26
[5]
半导体器件及其制造方法
[P].
王桂磊
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王桂磊
.
中国专利
:CN103035712B
,2013-04-10
[6]
半导体器件制造方法
[P].
秦长亮
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秦长亮
;
尹海洲
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尹海洲
;
殷华湘
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殷华湘
;
洪培真
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洪培真
;
王桂磊
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王桂磊
;
赵超
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赵超
.
中国专利
:CN103855003A
,2014-06-11
[7]
半导体器件及其制造方法
[P].
沈千万
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沈千万
.
中国专利
:CN101136389A
,2008-03-05
[8]
半导体器件及其制造方法
[P].
吕政
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
吕政
;
宋洵奕
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
宋洵奕
;
王猛
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机构:
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
王猛
.
中国专利
:CN111668186B
,2025-02-18
[9]
半导体器件及其制造方法
[P].
三重野文健
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三重野文健
.
中国专利
:CN102891177A
,2013-01-23
[10]
半导体器件及其制造方法
[P].
周飞
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周飞
.
中国专利
:CN110098175B
,2019-08-06
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