半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511204779.3

申请日：

2025-08-27

公开(公告)号：

CN120711815A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

邵章朋马亚强张伟

申请人：

合肥晶合集成电路股份有限公司

申请人地址：

230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

IPC主分类号：

H10D84/01

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

蔡新妮

法律状态：

公开

国省代码：

天津市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开
2025-12-26	授权	授权
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/01申请日:20250827

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

邵章朋 ;

马亚强 ;

张伟 .

中国专利 :CN120711815B ,2025-12-26

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

王壮壮 ;

杜怡行 ;

杨耀华 ;

姚春 ;

王虎 .

中国专利 :CN114843276A ,2022-08-02

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

刘冲 ;

任媛媛 ;

严强生 ;

陈宏 ;

曹秀亮 .

中国专利 :CN113192878A ,2021-07-30

[4]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298533A ,2017-01-04

[5]

半导体器件的制造方法及其半导体器件 [P].

何丹丹 .

中国专利 :CN113130636B ,2021-07-16

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

崔金洪 .

中国专利 :CN104835788A ,2015-08-12

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

钟伯琛 ;

祖英博 .

中国专利 :CN110729231A ,2020-01-24

[8]

半导体器件结构的制造方法 [P].

李凤莲 ;

倪景华 .

中国专利 :CN103377934B ,2013-10-30

[9]

用于制造半导体器件的方法 [P].

赵林林 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN102082126A ,2011-06-01

[10]

一种半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

宋玉涛 ;

张新 ;

郭廷晃 .

中国专利 :CN119815907B ,2025-06-24

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