半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410134830.7

申请日：

2024-01-31

公开(公告)号：

CN120432381A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

请求不公布姓名

申请人：

青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太行山路2号

IPC主分类号：

H01L21/265

IPC分类号：

H01L21/28 H10D30/01 H10D30/60 C30B23/00 C30B29/06

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

冯启正

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20240131
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

王壮壮 ;

杜怡行 ;

杨耀华 ;

姚春 ;

王虎 .

中国专利 :CN114843276A ,2022-08-02

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120676702A ,2025-09-19

[3]

一种半导体器件结构及其制造方法 [P].

郭亮良 .

中国专利 :CN118263125A ,2024-06-28

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

金华俊 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN110911487A ,2020-03-24

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1049070C ,1996-03-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

朱春林 ;

姜克 ;

吴泽宇 ;

左慧玲 .

中国专利 :CN119947212A ,2025-05-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112447717A ,2021-03-05

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN112447717B ,2024-10-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103594368A ,2014-02-19

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102024744B ,2011-04-20

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