半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210290649.2

申请日：

2012-08-15

公开(公告)号：

CN103594368A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

鲍宇平延磊

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580142065 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102906492 申请日:20120815
2014-02-19	公开	公开
2016-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103270585A ,2013-08-28

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103314443A ,2013-09-18

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103201842A ,2013-07-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

早川幸夫 .

中国专利 :CN1495903A ,2004-05-12

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120432381A ,2025-08-05

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

胡永中 ;

戴嵩山 .

中国专利 :CN101083265B ,2007-12-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

深濑匡 .

中国专利 :CN1088913C ,1997-04-16

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金华俊 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN110911487A ,2020-03-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

金载甲 .

中国专利 :CN1049070C ,1996-03-27

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

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